Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 20.7 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- RS品番:
- 911-4830
- メーカー型番:
- SPW20N60C3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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| 30 - 120 | ￥554.567 | ￥16,637.01 |
| 150 - 270 | ￥538.00 | ￥16,140.00 |
| 300 - 720 | ￥509.30 | ￥15,279.00 |
| 750 - 1470 | ￥494.933 | ￥14,847.99 |
| 1500 + | ￥480.60 | ￥14,418.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 911-4830
- メーカー型番:
- SPW20N60C3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
Infineon CoolMOS™C3パワーMOSFET
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MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 20.7 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| シリーズ | CoolMOS™ C3 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 190 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.9V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2.1V |
| 最大パワー消費 | 208 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 5.3mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 15.9mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| 高さ | 20.95mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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