Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
913-4705
メーカー型番:
IRLML5203TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

165mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.25W

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.5nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流3A、最大ドレインソース電圧30V - IRLML5203TRPBF


このMOSFETは、エレクトロニクス分野のさまざまな用途に適した高性能パワー・デバイスです。コンパクトなSOT-23パッケージを特徴とするこのPチャンネル・デバイスは、最大連続ドレイン電流3A、ドレイン・ソース間電圧30Vという優れた効率を提供します。長さ3.04mm、幅1.4mm、高さ1.02mmで、スペースに制約のある設計に適している。

特徴と利点


• 30Vのドレイン・ソース電圧に対応し、多用途に使用可能

• PCB設計を簡素化する表面実装設計

• 55℃～+150℃の温度範囲で動作

• 信頼性の高いスイッチング性能を実現するエンハンスメント・モードを採用

用途


• 最適なパフォーマンスを実現するバッテリー管理システム

• 薄型設計のためポータブル電子機器に使用

• 様々な機器の負荷管理ソリューションに適用

• 高度なオートメーション制御システムに最適

このデバイスのRds(on)が低いことの意味は？


Rds(on)が低いため、動作中の電力損失が低減され、全体的な効率が向上し、アプリケーションの熱レベルが低く維持される。

電力損失能力はデバイスの性能にどのような影響を与えますか？


最大1.25Wの放熱能力により、効果的な熱管理が可能となり、最大負荷条件下でも熱障害なく確実に動作する。

特定のアプリケーションにこのMOSFETを選択する場合、どのような要因が影響するのでしょうか？


最大連続ドレイン電流、定格電圧、熱特性などの要素は、回路要件や期待される性能との互換性を確保するために考慮されなければならない。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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