Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
913-4060
メーカー型番:
IRLML9301TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

64mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.8nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

1.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

規格 / 承認

No

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧30V、最大連続ドレイン電流3.6A - IRLML9301TRPBF


このMOSFET半導体は、様々な電子アプリケーションにおける効率的な電力管理のために設計されています。小型電子回路への組み込みが容易な表面実装（SOT-23）設計が特徴です。このコンポーネントは、最大連続ドレイン電流3.6Aで効果的に動作し、最大ドレイン・ソース間電圧30Vを扱うことができる。

特徴と利点


• エンハンスメントモードの設定により、効率的な運用が可能

• 高いゲートしきい値電圧範囲が信頼性を高める

• より高い耐熱性

• ドレイン電流定格を最適化し、性能信頼性を向上

用途


• ポータブル機器の電源管理に使用

• オートメーション制御システムに最適

• オーディオ・アンプやシグナル・プロセッサーに使用される

• 再生可能エネルギーシステムのDC-DCコンバータに最適

• ロボットのモーター駆動に最適

低オン抵抗値がパフォーマンスに与える影響は？


オン抵抗が64mΩと低いため、動作時の発熱が抑えられ、全体的な効率が向上し、大電流アプリケーションでの部品寿命が延びます。

エンハンスメント・モードは、回路設計にどのようなメリットをもたらすのでしょうか？


エンハンスメント・モードでは、特定のゲート電圧に達するまでMOSFETをオフ状態に保つことができ、不要な電力損失を発生させることなく、さまざまな電子設計に適した信頼性の高いスイッチング制御を実現します。

この部品は高温に耐えられるか？


また、+150℃までの温度で確実に動作するように設計されているため、過酷な環境や集中的な使用にさらされる用途にも適している。

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