1 Infineon MOSFET シングル, タイプPチャンネル, 5.8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7406TRPBF パッケージSOIC
- RS品番:
- 915-4951
- メーカー型番:
- IRF7406TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 915-4951
- メーカー型番:
- IRF7406TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 70mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20, -20V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 70mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20, -20V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Pチャネル パワーMOSFET 30 V、インフィニオン
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させることにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、インフィニオン
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