2 Infineon MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 3.6 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7380TRPBF パッケージSOIC

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RS品番:
826-8904
メーカー型番:
IRF7380TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

73mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.5mm

幅

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流3.6A、最大許容損失2W - IRF7380TRPBF


このMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションにおける効率的な電力管理のために設計されています。高い定格電圧と3.6Aの連続ドレイン電流により、高周波DC-DCコンバータに適しており、信頼性の高い性能を保証します。その先進的なデザインは、オートメーション、エレクトロニクス、機械分野の専門家に、回路用の汎用部品を求める実用的なソリューションを提供します。

特徴と利点


• 業界標準のSO-8パッケージにより、異なるベンダー間での互換性を確保

• 73mΩの低Rds(on)がパワー・アプリケーションの効率を最適化

• エンハンスメント・モード動作で性能特性を向上

• 15nCの低ゲートチャージにより、スイッチング速度の高速化を実現

• 最大80Vのドレイン・ソース間電圧で大電力ニーズに対応

• RoHS対応、ハロゲンフリーで環境安全性を促進

用途


• 電力調整用高周波DC-DCコンバータに使用

• 低電力損失を必要とするバッテリー管理システムに有効

• 効率的なスイッチング性能を必要とするモーターコントローラーに最適

• 全体的な効率を高めるために電源装置に採用

• リレーやソレノイドのような誘導負荷の駆動に最適

最大連続ドレイン電流の意味は？


最大連続ドレイン電流3.6Aは、電源回路などのアプリケーションでより大きな電流を管理する能力を示しており、過熱することなく安定した動作を保証する。

Rds(on)が低いとパフォーマンスにどのような影響がありますか？


Rds(on)が73mΩと低いため、動作中の電力損失が低減され、システム全体の効率が向上し、特に高周波スイッチング・アプリケーションに有益である。

その温度評価の意味は？


55℃～+150℃の温度範囲で動作するため、過酷な環境条件にも耐えることができ、産業用途に適している。

このコンポーネントはPCBに直接実装できますか？


また、表面実装設計のため、PCBレイアウトへの組み込みが容易で、効率的な製造プロセスを促進し、コンパクトな設計で省スペース化を実現します。

ゲートしきい値電圧は動作にどのような影響を与えますか？


ゲートしきい値電圧は2Vから4Vの範囲で、設計の柔軟性を提供し、効果的なデバイスの活性化を確保しながら、さまざまな制御信号との互換性を可能にします。

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