IXYS MOSFET, Nチャンネル, 12 A, スルーホール, 3 ピン, IXTH12N65X2

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梱包形態
RS品番:
917-1457
メーカー型番:
IXTH12N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

12 A

最大ドレイン-ソース間電圧

650 V

パッケージタイプ

TO-247

シリーズ

X2-Class

実装タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

300 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.5V

最低ゲートしきい値電圧

2.5V

最大パワー消費

180 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-30 V, +30 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

17.7 nC @ 10 V

長さ

16.24mm

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

21.45mm

トランジスタ素材

Si

高さ

5.3mm

順方向ダイオード電圧

1.4V

動作温度 Min

-55 °C

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ


IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。

超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



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