IXYS MOSFET, Nチャンネル, 8 A, スルーホール, 3 ピン, IXTP8N65X2
- RS品番:
- 917-1479
- メーカー型番:
- IXTP8N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 917-1479
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- IXTP8N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 8 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| パッケージタイプ | TO-220 | |
| シリーズ | X2-Class | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 500 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V | |
| 最大パワー消費 | 150 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 15.9mm | |
| 長さ | 10.3mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.4V | |
| 高さ | 4.7mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 8 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
パッケージタイプ TO-220 | ||
シリーズ X2-Class | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 500 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
最低ゲートしきい値電圧 3V | ||
最大パワー消費 150 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 15.9mm | ||
長さ 10.3mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 12 nC @ 10 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
順方向ダイオード電圧 1.4V | ||
高さ 4.7mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ
IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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