Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 110 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 919-0938
- メーカー型番:
- SUM110P06-07L-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は800 個
￥286.538
(税抜)
￥315.192
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥286.538 | ￥229,230.40 |
| 1600 - 7200 | ￥280.808 | ￥224,646.40 |
| 8000 - 11200 | ￥275.193 | ￥220,154.40 |
| 12000 - 15200 | ￥269.689 | ￥215,751.20 |
| 16000 + | ￥264.295 | ￥211,436.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 919-0938
- メーカー型番:
- SUM110P06-07L-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- TW
詳細情報
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
特長
• TrenchFET ® パワー MOSFET
•熱抵抗が低いパッケージ
• TrenchFET ® パワー MOSFET
•熱抵抗が低いパッケージ
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 110 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 7 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 3.75 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 9.65mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| 長さ | 10.41mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 4.83mm |
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