Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM110P06-07L-E3
- RS品番:
- 710-5060
- メーカー型番:
- SUM110P06-07L-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 35 | ¥562.00 | ¥2,810 |
| 40 - 370 | ¥506.80 | ¥2,534 |
| 375 - 495 | ¥452.40 | ¥2,262 |
| 500 - 595 | ¥398.20 | ¥1,991 |
| 600 + | ¥342.80 | ¥1,714 |
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- RS品番:
- 710-5060
- メーカー型番:
- SUM110P06-07L-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0088Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 230nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 10.414 mm | |
| 長さ | 15.875mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0088Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 230nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 10.414 mm | ||
長さ 15.875mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
特長
• TrenchFET ® パワー MOSFET
•熱抵抗が低いパッケージ
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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