Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 100 A, 1.35 mΩ, 147 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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RS品番:
919-4246
メーカー型番:
SIRA00DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-16V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

147nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

104W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

5.26mm

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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