1 IXYS MOSFET シングル, タイプN, タイプNチャンネル, 15 A, スルーホール, スルーホール 1000 V, 3-Pin エンハンスメント型, IXFH15N100Q3 パッケージTO-247

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RS品番:
920-0969
メーカー型番:
IXFH15N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1000V

シリーズ

HiperFET, Q3-Class

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール, スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.05Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

690W

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

幅

5.3 mm

長さ

16.26mm

高さ

16.26mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFETTM Q3シリーズ


IXYS Q3クラスのHiperFETTMパワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モード用途の両方に適し、優れた頑丈性で低ゲート充電を実現します。このデバイスには、高速内蔵ダイオードが搭載されており、最大定格電圧1100 V及び70 Aの絶縁タイプを含む業界標準のさまざまなパッケージが用意されています。一般的な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度及び照明制御などがあります。

ファスト本質整流ダイオード

低RDS(オン)及びQG(ゲート充電)

低い本質的なゲート抵抗

業界標準のパッケージ

低パッケージインダクタンス

高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの幅広い高度なディスクリートパワーMOSFETデバイス

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