STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 920-8777
- メーカー型番:
- STD30NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 2500 - 2500 | ￥136.814 | ￥342,035.00 |
| 5000 - 22500 | ￥133.488 | ￥333,720.00 |
| 25000 - 35000 | ￥130.163 | ￥325,407.50 |
| 37500 - 47500 | ￥126.838 | ￥317,095.00 |
| 50000 + | ￥123.512 | ￥308,780.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 920-8777
- メーカー型番:
- STD30NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
NチャンネルSTripFET™、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 35 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| シリーズ | STripFET |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 28 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 70 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 6.6mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| 幅 | 6.2mm |
| 高さ | 2.4mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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