STMicroelectronics モータドライバIC PWD13F60TR, 28-Pin, VFQFPN
- RS品番:
- 164-7005
- メーカー型番:
- PWD13F60TR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 164-7005
- メーカー型番:
- PWD13F60TR
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | モータドライバIC | |
| 構成 | Hブリッジ | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| パッケージ型式 | VFQFPN | |
| ピン数 | 28 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 長さ | 10.1mm | |
| シリーズ | PWD | |
| 高さ | 0.85mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ モータドライバIC | ||
構成 Hブリッジ | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
パッケージ型式 VFQFPN | ||
ピン数 28 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
長さ 10.1mm | ||
シリーズ PWD | ||
高さ 0.85mm | ||
PWD13F60は、デュアルハーフブリッジ構成のゲートドライバと4つのNチャンネルパワーMOSFETを統合した高密度パワードライバです。内蔵パワーMOSFETは、320 mΩの低RDS(on)と600 Vのドレインソースブレークダウン電圧を備え、内蔵ゲートドライバハイサイドは内蔵ブートストラップダイオードで簡単に供給できます。このデバイスの高い統合性により、小さなスペースで負荷を効率的に駆動できます。
ゲートドライバと高電圧パワーMOSFETを統合したパワーシステムインパッケージ
6.5 Vまでの幅広いドライバ供給電圧
電源電圧に対するUVLO保護
3.3 → 15 V互換入力、ヒステリシス及びプルダウン
インターロック機能により、クロス伝導を防止
内部ブートストラップダイオード
入力と相互に出力
非常にコンパクトで簡素化されたレイアウト
柔軟で簡単かつ迅速な設計
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