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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	プロダクトタイプ	モータドライバIC
	構成	Hブリッジ
	取付タイプ	表面実装
	パッケージ型式	VFQFPN
	ピン数	28
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	125°C
	長さ	10.1mm
	高さ	0.85mm
	幅	13.1 mm
	シリーズ	PWD

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	プロダクトタイプモータドライバIC
	構成 Hブリッジ
	取付タイプ表面実装
	パッケージ型式 VFQFPN
	ピン数 28
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 125°C
	長さ 10.1mm
	高さ 0.85mm
	幅 13.1 mm
	シリーズ PWD

PWD13F60は、ゲートドライバと4つのNチャンネルパワーMOSFETをデュアルハーフブリッジ構成で集積した高密度電力ドライバです。内蔵パワーMOSFETは、320 mΩの低RDS(on)と600 Vのドレインソース降伏電圧を備え、ハイサイドの内蔵ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオードで簡単に給電できます。デバイスの高度な集積により、狭いスペースで負荷を効率的に駆動できます。

ゲートドライバと高電圧MOSFETを集積するパワーシステムインパッケージ

最小6.5 Vの幅広いドライバ供給電圧

電源電圧のUVLO保護

ヒステリシス及びプルダウン対応入力: 3.3 → 15 V

クロスコンダクションを防止するインターロック機能

内部ブートストラップダイオード

入力と同位相で出力

非常にコンパクトでシンプルなレイアウト

柔軟、簡単、迅速な設計

STMicroelectronics モータドライバIC PWD13F60TR, 28-Pin, VFQFPN

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