不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments

GR3281は、高度なシリコンゲートCMOS技術と高信頼性リチウム電源セルで製造された産業用温度範囲32,768ワード x 8ビット(32 k x 8)の不揮発性静的RAMです。

GR3281の28 W DILピンアウトは、JEDEC規格に準拠し、通常の静的RAMと完全に互換性があります。

パワーダウン回路は完全自動で、基準電圧は4.5 Vです。この時点で、GR3281はデータ保護のための内部インヒビット機能によって書き込み保護され、メモリの内容はリチウム電源によって保持されます。

電源ダウンは非常に高速で、データの整合性に不可欠です。5 → 0 Vの電源ダウンに最大15マイクロ秒かかります。これは、どのようなシステム停電条件よりもはるかに速くなります。したがって、GR3281を取り付ける際に特別な条件は不要です。

GR3281は、外部電源なしでデータをほぼ無期限に保持できます。制限因子は、リチウム電池の保管寿命(通常10年)です。

ROHS準拠

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