- RS品番:
- 194-9076
- メーカー型番:
- CY14B104NA-BA25XI
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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1 - 74 | ¥6,203.00 |
75 - 149 | ¥6,047.00 |
150 + | ¥5,955.00 |
- RS品番:
- 194-9076
- メーカー型番:
- CY14B104NA-BA25XI
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 4Mbit |
構成 | 256 K x 16ビット |
インターフェースタイプ | パラレル |
データバス幅 | 16bit |
最大ランダムアクセス時間 | 45ns |
実装タイプ | 表面実装 |
パッケージタイプ | FBGA |
ピン数 | 48 |
寸法 | 10 x 6 x 0.21mm |
長さ | 10mm |
幅 | 6mm |
高さ | 0.21mm |
動作供給電圧 Max | 3.6 V |
動作温度 Max | +85 °C |
ワード数 | 256K |
動作温度 Min | -40 °C |
1ワード当たりのビット数 | 16bit |
動作供給電圧 Min | 2.7 V |