不揮発性メモリ(NVRAM) Renesas Electronics

Renesas M3xxx316 は、磁気抵抗 RAM （ MRAM ）です。4 → 32 Mbit の密度があります。MRAM 技術は、 SRAM 互換の 35 ns / 35 ns 及び 45 ns / 45 ns の読み取り / 書き込みタイミング（永続的 SRAM 、 P-SRAM ）を備えたフラッシュ技術に似ています。データは常に不揮発性です。これにより、 MRAM は非常に信頼性が高く、高速な不揮発性メモリソリューションとなっています。MRAM は真のランダムアクセスメモリです

遅延の大きなペナルティを伴わずにデータを保存及び取得する必要がある用途に最適です。インターフェイスは、 40nm pMTJ STT-MRAM を使用します。動作電圧範囲は 2.70∼3.60V です。パッケージタイプは 48 ボール FBGA （ 10mm x 10mm ） RoHS 対応で、 REACH 準拠です