onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数：1, IGBT, MOSFET出力, FOD8342R2

FOD8342T - 沿面距離とクリアランス距離は 8 mm 、絶縁距離は 0.4 mm で、信頼性の高い高電圧絶縁を実現しています
3.0 A の Peak 出力電流駆動能力：中電力 IGBT / MOSFET 用–出力段で P チャンネル MOSFET を使用して、電源レールに近い出力電圧スイングを実現
最小コモンモード除去： 20 kV/ μ s
広い供給電圧範囲： 10 → 30 V
全動作温度範囲での高速スイッチング速度 - 最大伝搬遅延： 210 ns - ヒステリシスでの最大パルス幅歪み低電圧ロックアウト（ UVLO ）
広い産業温度範囲： -40 → 100 ° C

用途
AC及びブラシレスDCモータドライブ
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ

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