onsemi IGBT, MOSFET フォトカプラ, 1チャネル, 16 mA, 5000Vrms 交流絶縁 スルーホール実装
- RS品番:
- 189-0184
- メーカー型番:
- FOD3125
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 1000 - 1000 | ¥278.784 | ¥278,784 |
| 2000 - 9000 | ¥273.208 | ¥273,208 |
| 10000 - 14000 | ¥267.74 | ¥267,740 |
| 15000 - 19000 | ¥262.384 | ¥262,384 |
| 20000 + | ¥257.135 | ¥257,135 |
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- RS品番:
- 189-0184
- メーカー型番:
- FOD3125
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 実装タイプ | スルーホール実装 | |
| 出力デバイス | IGBT, MOSFET | |
| 最大順方向電圧 | 1.8V | |
| チャンネル数 | 1 | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージタイプ | PDIP | |
| 入力電流タイプ | DC | |
| 標準上昇時間 | 60ns | |
| 最大入力電流 | 16 mA | |
| 絶縁電圧 | 5000Vrms 交流 | |
| 論理出力 | あり | |
| 標準降下時間 | 60ns | |
| シリーズ | FOD | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
実装タイプ スルーホール実装 | ||
出力デバイス IGBT, MOSFET | ||
最大順方向電圧 1.8V | ||
チャンネル数 1 | ||
ピン数 8 | ||
パッケージタイプ PDIP | ||
入力電流タイプ DC | ||
標準上昇時間 60ns | ||
最大入力電流 16 mA | ||
絶縁電圧 5000Vrms 交流 | ||
論理出力 あり | ||
標準降下時間 60ns | ||
シリーズ FOD | ||
FOD3125 は、 2.5 A 出力電流ゲートドライブオプトカプラです。最大 125 ° C の高温で、ほとんどの中電力 IGBT / MOSFET を駆動できますモータ制御インバータ用途、高性能電源システムで使用されるパワー IGBT 及び MOSFET の高速スイッチング駆動に最適です。ON Semiconductor の共面パッケージング技術である Optoplanar ® と最適化された IC 設計を採用しており、高いコモンモード除去機能を特徴とする高いノイズ耐性を実現しています。この製品は、ガリウムヒ素( AlGaAs )発光ダイオードと、プッシュプル MOSFET 出力段用高速ドライバの集積回路で構成されています。
広い産業温度範囲: -40 → 125 ° C
高ノイズ耐性 35 kv/ μ s 最小コモンモード除去によって特性化されています
最大 1200 V / 20 A IGBT の Peak 出力電流駆動能力: 2.5 A
出力段で P チャネル MOSFET を使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能になります
高速スイッチング速度
幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V
高速スイッチング速度
最大 400 ns 伝播遅延
最大 100 ns パルス幅歪み
低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり
用途
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ
高ノイズ耐性 35 kv/ μ s 最小コモンモード除去によって特性化されています
最大 1200 V / 20 A IGBT の Peak 出力電流駆動能力: 2.5 A
出力段で P チャネル MOSFET を使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能になります
高速スイッチング速度
幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V
高速スイッチング速度
最大 400 ns 伝播遅延
最大 100 ns パルス幅歪み
低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり
用途
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ
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