onsemi IGBT, MOSFET フォトカプラ, 1チャネル, 16 mA, 5000Vrms絶縁 表面実装

FOD3125 は、 2.5 A 出力電流ゲートドライブオプトカプラです。最大 125 ° C の高温で、ほとんどの中電力 IGBT / MOSFET を駆動できますモータ制御インバータ用途、高性能電源システムで使用されるパワー IGBT 及び MOSFET の高速スイッチング駆動に最適です。ON Semiconductor の共面パッケージング技術である Optoplanar ® と最適化された IC 設計を採用しており、高いコモンモード除去機能を特徴とする高いノイズ耐性を実現しています。この製品は、ガリウムヒ素（ AlGaAs ）発光ダイオードと、プッシュプル MOSFET 出力段用高速ドライバの集積回路で構成されています。

広い産業温度範囲： -40 → 125 ° C
高ノイズ耐性 35 kv/ μ s 最小コモンモード除去によって特性化されています
最大 1200 V / 20 A IGBT の Peak 出力電流駆動能力： 2.5 A
出力段で P チャネル MOSFET を使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能になります
高速スイッチング速度
幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V
高速スイッチング速度
最大 400 ns 伝播遅延
最大 100 ns パルス幅歪み
低電圧ロックアウト（ UVLO ）（ヒステリシスあり
用途
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ

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