- RS品番:
- 189-0519
- メーカー型番:
- FOD3125S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
在庫切れ
単価: 購入単位は5個
¥675.00
(税抜)
¥742.50
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
5 - 45 | ¥675.00 | ¥3,375.00 |
50 - 470 | ¥655.20 | ¥3,276.00 |
475 - 595 | ¥486.20 | ¥2,431.00 |
600 - 795 | ¥419.00 | ¥2,095.00 |
800 + | ¥405.00 | ¥2,025.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 189-0519
- メーカー型番:
- FOD3125S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
FOD3125 は、 2.5 A 出力電流ゲートドライブオプトカプラです。最大 125 ° C の高温で、ほとんどの中電力 IGBT / MOSFET を駆動できますモータ制御インバータ用途、高性能電源システムで使用されるパワー IGBT 及び MOSFET の高速スイッチング駆動に最適です。ON Semiconductor の共面パッケージング技術である Optoplanar ® と最適化された IC 設計を採用しており、高いコモンモード除去機能を特徴とする高いノイズ耐性を実現しています。この製品は、ガリウムヒ素( AlGaAs )発光ダイオードと、プッシュプル MOSFET 出力段用高速ドライバの集積回路で構成されています。
広い産業温度範囲: -40 → 125 ° C
高ノイズ耐性 35 kv/ μ s 最小コモンモード除去によって特性化されています
最大 1200 V / 20 A IGBT の Peak 出力電流駆動能力: 2.5 A
出力段で P チャネル MOSFET を使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能になります
高速スイッチング速度
幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V
高速スイッチング速度
最大 400 ns 伝播遅延
最大 100 ns パルス幅歪み
低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり
用途
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ
高ノイズ耐性 35 kv/ μ s 最小コモンモード除去によって特性化されています
最大 1200 V / 20 A IGBT の Peak 出力電流駆動能力: 2.5 A
出力段で P チャネル MOSFET を使用することで、電源レールに近い出力電圧スイングが可能になります
高速スイッチング速度
幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V
高速スイッチング速度
最大 400 ns 伝播遅延
最大 100 ns パルス幅歪み
低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり
用途
産業用インバータ
無停電電源
誘導加熱
絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
実装タイプ | 表面実装 |
出力デバイス | IGBT, MOSFET |
最大順方向電圧 | 1.8V |
チャンネル数 | 1 |
ピン数 | 8 |
パッケージタイプ | SMT |
入力電流タイプ | DC |
標準上昇時間 | 60ns |
最大入力電流 | 16 mA |
絶縁電圧 | 5000Vrms |
論理出力 | あり |
標準降下時間 | 60ns |
シリーズ | FOD |
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