OSI Optoelectronics フォトダイオード, 赤外線, 436 nm 65 °, TO-8, OSD60-5T スルーホール
- RS品番:
- 183-7124
- メーカー型番:
- OSD60-5T
- メーカー/ブランド名:
- OSI Optoelectronics
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- RS品番:
- 183-7124
- メーカー型番:
- OSD60-5T
- メーカー/ブランド名:
- OSI Optoelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | OSI Optoelectronics | |
| 検出スペクトル | 赤外線 | |
| プロダクトタイプ | フォトダイオード | |
| ピーク感度波長 | 436nm | |
| パッケージ型式 | TO-8 | |
| パッキング | テープ及びリール | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最小検出波長 | 350nm | |
| 最大検出波長 | 1100nm | |
| 標準降下時間 | 0.6ns | |
| 増幅 | いいえ | |
| 動作温度 Min | -25°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 幅 | 5mm | |
| 長さ | 8mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 0.17インチ | |
| 直径 | 13.97mm | |
| 半値幅感度角度 | 65 ° | |
| 絶縁破壊電圧 | 30V | |
| 標準上昇時間 | 30μs | |
| シリーズ | OSD | |
| 極性 | リバース | |
| 自動車規格 | なし | |
| 暗電流 | 1nA | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド OSI Optoelectronics | ||
検出スペクトル 赤外線 | ||
プロダクトタイプ フォトダイオード | ||
ピーク感度波長 436nm | ||
パッケージ型式 TO-8 | ||
パッキング テープ及びリール | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最小検出波長 350nm | ||
最大検出波長 1100nm | ||
標準降下時間 0.6ns | ||
増幅 いいえ | ||
動作温度 Min -25°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
幅 5mm | ||
長さ 8mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 0.17インチ | ||
直径 13.97mm | ||
半値幅感度角度 65 ° | ||
絶縁破壊電圧 30V | ||
標準上昇時間 30μs | ||
シリーズ OSD | ||
極性 リバース | ||
自動車規格 なし | ||
暗電流 1nA | ||
- COO(原産国):
- US
光導電性検出器シリーズは高速高感度用途に適しています。スペクトル範囲が 350∼1100 nm まで拡張され、パルスレーザー源、 LED 、断続光の検出などの AC 用途を含む、可視光及び近赤外線用途に最適です。高速を実現するには、これらの検出器に逆バイアスが必要です。たとえば、逆バイアスが10 Vの場合、標準で10~250 nsの応答時間を達成できます。逆バイアスが印加されると、下図のように静電容量が減少し、速度の向上に直結します。仕様表に示されているように、逆バイアスは 30 V を超えないようにしてください。バイアス電圧が高くなると、検出器が永続的に損傷します。逆バイアスは追加の暗電流を生成するため、バイアスが印加されるとデバイスのノイズも増加します。低ノイズ検出器の場合は、 PV シリーズを検討する必要があります。
高速応答
低静電容量
低暗電流
広いダイナミックレンジ
高応答性
用途
パルス検出器
光通信
バーコードリーダー
光学式リモートコントロール
医療機器
高速測光
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