フォトダイオード onsemi 可視光 Si 表面実装 SMT

420 nm で 40% 超の PDE 、 300 nm までの拡張感度により UV 感度を向上
超低暗カウントレート： 30 kHz/mm2
すべての C シリーズ製品で、 ± 250 mV の優れた破壊電圧均一性を実現しています
21.5 mV/ ° C の温度安定性
バイアス電圧<： 30 V
独自の「高速出力」 Terminal からの 300 ps の超高速立ち上がり時間（パルス幅 600 ps
センササイズ： 1 mm 、 3 mm 、 6 mm
従来の PMT に代わるソリッドステートで、幅広い用途に対応
106 の高ゲインでは、単一光子の感度が得られます
業界最高の Vbr 均一性
コンパクトで丈夫なパッケージ
評価が容易な SMA コネクタ又はピンの評価ボードを用意しています
用途
医療用画像処理
危険と脅威
3D レンジ設定 / 検出
バイオフォトニクス & サイエンス
高エネルギー物理学

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