Vishay PINフォトダイオード, 830 nm～950 nm, 830 nm ±15 °, GW 表面
- RS品番:
- 257-6909
- メーカー型番:
- VEMD2020X01
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール6000個入り) 小計：*
￥307,800
(税抜)
￥338,580
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年3月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | ￥51.30 | ￥307,800 |
| 12000 - 54000 | ￥50.781 | ￥304,686 |
| 60000 - 84000 | ￥49.767 | ￥298,602 |
| 90000 - 114000 | ￥48.766 | ￥292,596 |
| 120000 + | ￥47.803 | ￥286,818 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 257-6909
- メーカー型番:
- VEMD2020X01
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| 検出スペクトル | 830 nm～950 nm | |
| プロダクトタイプ | PINフォトダイオード | |
| ピーク感度波長 | 830nm | |
| パッケージ型式 | GW | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッキング | テープ及びリール | |
| ピン数 | 2 | |
| 最小検出波長 | 750nm | |
| 最大検出波長 | 1050nm | |
| 標準降下時間 | 100ns | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 100°C | |
| 幅 | 2.3mm | |
| 高さ | 2.8mm | |
| 長さ | 2.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| 半値幅感度角度 | ±15 ° | |
| 短絡電流 | 11μA | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| 暗電流 | 10nA | |
| 標準上昇時間 | 100ns | |
| 絶縁破壊電圧 | 32V | |
| 無負荷電圧 | 350mV | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
検出スペクトル 830 nm～950 nm | ||
プロダクトタイプ PINフォトダイオード | ||
ピーク感度波長 830nm | ||
パッケージ型式 GW | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッキング テープ及びリール | ||
ピン数 2 | ||
最小検出波長 750nm | ||
最大検出波長 1050nm | ||
標準降下時間 100ns | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 100°C | ||
幅 2.3mm | ||
高さ 2.8mm | ||
長さ 2.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS Directive 2002/95/EC | ||
半値幅感度角度 ±15 ° | ||
短絡電流 11μA | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
暗電流 10nA | ||
標準上昇時間 100ns | ||
絶縁破壊電圧 32V | ||
無負荷電圧 350mV | ||
VishayシリコンPINフォトダイオードは、ドームレンズと日光ブロッキングフィルタを備えたミニチュア表面実装(SMD)パッケージに収められた高速で高感度のPINフォトダイオードです。フィルタは、830 → 950 nmの波長で動作する赤外線エミッタとかん合します。チップの光感度面積は0.23 mm2です。
AEC-Q101認定
高放射感度
高速応答時間
半感度の角度: φ = ±15 °
関連ページ
- Vishay PINフォトダイオード 830 nm ±15 ° VEMD2020X01 表面
- Vishay PINフォトダイオード 830 nm ±56 ° VEMD4160X02 表面
- Vishay フォトダイオード 950 nm 65 °, GW 表面
- Vishay フォトダイオード 950 nm 65 ° VBPW34FAS 表面
- Vishay フォトダイオード 950 nm 65 ° VBP104FAS 表面
- Vishay フォトダイオード 逆向きガルウィング 表面
- Vishay フォトダイオード 950 nm 65 °, QFN 表面
- Vishay フォトダイオード 950 nm VEMD6110X01 表面