Renesas Electronics 評価ボード ハーフブリッジドライバ

ルネサスエレクトロニクスボードは、ハーフブリッジ構成で2つのNチャンネルMOSFETのゲートを駆動するHIP2211 100 V高周波ハーフブリッジドライバを評価するための迅速かつ全面な方法を提供するように設計されています。評価ボードには、2つのNチャンネルMOSFET(TO220やDPAKなどの複数のパッケージをサポートするデュアルフットプリント)とインダクタ-コンデンサLCフィルタが付属しており、同期バックスイッチングレギュレータなどのハーフブリッジ駆動負荷を評価できます。HIP2211ハーフブリッジドライバは、8 Ld SOIC、8 Ld DFN、又は10 Ld DFNパッケージ(強化サーマルEPAD付き)で提供されます。この評価ボードは、10 Ld DFNパッケージ向けに設計されています。8 Ld DFNパッケージは、このボードにも適合します。両ボードは6 → 18 V dcの供給電圧で動作し、100 Vハーフブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両方のMOSFETを駆動できます。

3 Aソース及び4 AシンクNMOSゲートドライバ、ハイサイド
NFET上のゲートドライバ用の内部レベルシフタ及びブートストラップダイオード、
最大100 V、
ハイサイドブートストラップリファレンス6 → 18 V、バイアス電源動作、
高速15 ns標準伝播遅延及び2 ns標準伝播遅延マッチ、最大1 MHz動作に対応