Renesas Electronics 評価ボード 評価ボード, 開発キット, ハーフブリッジドライバ, HIP2210 用, HIP2210EVAL1Z
- RS品番:
- 250-6589
- メーカー型番:
- HIP2210EVAL1Z
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 250-6589
- メーカー型番:
- HIP2210EVAL1Z
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | 評価ボード | |
| 電源管理機能 | ハーフブリッジドライバ | |
| 併用可能製品 | HIP2210 | |
| キットの分類 | 開発キット | |
| キット名 | 評価ボード | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ 評価ボード | ||
電源管理機能 ハーフブリッジドライバ | ||
併用可能製品 HIP2210 | ||
キットの分類 開発キット | ||
キット名 評価ボード | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
Renesas評価ボードは、HIP2210 100 V、3Aソース、4Aシンク、ハーフブリッジ構成で2つのNチャンネルMOSFETのゲートを駆動する高周波ハーフブリッジドライバを評価するための迅速かつ包括的な方法を提供するように設計されています。評価ボードには、2つのNチャンネルMOSFET(TO220やDPAKなどの複数のパッケージをサポートするデュアルフットプリント)とインダクタ-コンデンサLCフィルタが付属しており、同期バックスイッチングレギュレータなどのハーフブリッジ駆動負荷を評価できます。
ハイサイドNFET上のゲートドライバ用の内部レベルシフタ及びブートストラップダイオード
最大100 Vのハイサイドブートストラップリファレンス
6 → 18 Vのバイアス電源動作
高速15 ns標準伝播遅延及び2 ns標準伝播遅延マッチ、最大1 MHz動作に対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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