onsemi 整流ダイオード, 22.5A, 1200V 表面実装, 3-Pin TO-252 SiCショットキー

シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードは、まったく新しい技術によって、優れたスイッチング性能と高信頼性を発揮します。逆回復電流がなく、温度に左右されないスイッチング特性と優れた熱特性を備えたシリコンカーバイドは、次世代のパワー半導体と見なされています。最も優れた効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズとコストの縮小などがシステムの利点になります。

最高ジャンクション温度: 175 °C
高サージ電流容量
正の温度係数
並列接続が簡単
逆回復なし / 順回復なし
用途
PFC
産業用電源
太陽光発電
EV充電器
UPS
溶接

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