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InfineonのSiCショットキーダイオードは、革新的な半導体マテリアルとしての、シリコンカーバイド構成されています。Infineon独自の拡散はんだ付けプロセスは、G3で既に導入されており、新しいプロセスと組み合わせられています。コンパクトな設計および薄型ウェーバー技術を備えています。

革新的な半導体材質 - シリコンカーバイド

ベンチマークスイッチング動作

逆回復 / 前進回復なし、

温度独立スイッチング動作、

高サージ電流容量、

鉛フリーリードめっき、

RoHS準拠、

ターゲット用途向けJEDEC1認定、

4.5 mA2での遮断電圧テスト、

高温動作に最適化

Infineon シリコンカーバイドダイオード半導体, シングル, 2 A, 650 V 表面, 5-Pin PG-VSON-4

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