Infineon ダイオード, 10 A, 650 V 表面, 2-Pin TO-263

Infineon第5世代thinQ! SiCショットキーダイオードは、G3で既に導入された独自の拡散はんだ付けプロセスで、新しいよりコンパクトな設計と薄型ウェーフル技術と組み合わせられています。その結果、新しい製品ファミリは、あらゆる負荷条件で効率が向上し、熱特性が向上し、メリットが低下しています。新しいthinQ!TM 5世代は、650 V CoolMOSファミリを補完するように設計されており、この電圧範囲の最も厳しい用途要件を満たすことができます。

革新的な半導体材質 - シリコンカーバイド