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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Winbond
	メモリサイズ	512Mbit
	構成	64 M x 8 ビット
	SDRAMクラス	LPDDR
	データレート	200MHz
	データバス幅	32bit
	アドレスバス幅	15bit
	1ワード当たりのビット数	8bit
	最大ランダムアクセス時間	5ns
	ワード数	64M
	実装タイプ	表面実装
	パッケージタイプ	VFBGA
	ピン数	90
	寸法	13.1 x 8.1 x 0.65mm
	高さ	0.65mm
	長さ	13.1mm
	動作温度 Max	+85 ℃
	動作供給電圧 Max	1.95 V
	動作温度 Min	-40°C
	動作供給電圧 Min	1.7 V
	幅	8.1mm

	すべて選択
	ブランド Winbond
	メモリサイズ 512Mbit
	構成 64 M x 8 ビット
	SDRAMクラス LPDDR
	データレート 200MHz
	データバス幅 32bit
	アドレスバス幅 15bit
	1ワード当たりのビット数 8bit
	最大ランダムアクセス時間 5ns
	ワード数 64M
	実装タイプ表面実装
	パッケージタイプ VFBGA
	ピン数 90
	寸法 13.1 x 8.1 x 0.65mm
	高さ 0.65mm
	長さ 13.1mm
	動作温度 Max +85 ℃
	動作供給電圧 Max 1.95 V
	動作温度 Min -40°C
	動作供給電圧 Min 1.7 V
	幅 8.1mm

VDD = 1.7∼1.95V
VDDQ = 1.7∼1.95V
データ幅：x16 / x32
クロックレート：200MHz（-5）、166MHz（-6）
標準セルフ・リフレッシュ・モード
パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)
自動温度補償セルフリフレッシュ（ATCSR）
パワーダウンモード
ディープ・パワーダウン・モード（DPDモード）
プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度
同時動作のための4つの内部バンク
書き込みデータ用データマスク（DM）
アイドル時のクロック停止機能
各バースト・アクセスの自動プリチャージ・オプション
データ出力は2倍のデータレート
差動クロック入力（CKおよびCK）
双方向、データストローブ（DQS）
CASレイテンシー：2および3
バースト長：2、4、8、16
バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ
8Kリフレッシュ・サイクル/64mS
インターフェースLVCMOS互換
サポートパッケージ：
60ボールVFBGA（x16）
90ボールVFBGA（x32）
動作温度範囲
拡張: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
産業用: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

これは512Mbの低消費電力DDR SDRAMで、2Mワードx4バンクx32ビットで構成されている。

バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ
標準セルフ・リフレッシュ・モード
PASR、ATCSR、パワーダウンモード、DPD
プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度
同時動作のための4つの内部バンク
双方向、データ・ストローブ（DQS）はデータと共に送受信され、レシーバーでデータを取り込む際に使用される。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Winbond SDRAM, 512Mbit, LPDDR, 200MHz, W949D2DBJX5I

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