Winbond SDRAM, 512Mbit, LPDDR, 200MHz, W949D2DBJX5I

VDD = 1.7∼1.95V
VDDQ = 1.7∼1.95V
データ幅：x16 / x32
クロックレート：200MHz（-5）、166MHz（-6）
標準セルフ・リフレッシュ・モード
パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)
自動温度補償セルフリフレッシュ（ATCSR）
パワーダウンモード
ディープ・パワーダウン・モード（DPDモード）
プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度
同時動作のための4つの内部バンク
書き込みデータ用データマスク（DM）
アイドル時のクロック停止機能
各バースト・アクセスの自動プリチャージ・オプション
データ出力は2倍のデータレート
差動クロック入力（CKおよびCK）
双方向、データストローブ（DQS）
CASレイテンシー：2および3
バースト長：2、4、8、16
バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ
8Kリフレッシュ・サイクル/64mS
インターフェースLVCMOS互換
サポートパッケージ：
60ボールVFBGA（x16）
90ボールVFBGA（x32）
動作温度範囲
拡張: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C
産業用: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

これは512Mbの低消費電力DDR SDRAMで、2Mワードx4バンクx32ビットで構成されている。

バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ
標準セルフ・リフレッシュ・モード
PASR、ATCSR、パワーダウンモード、DPD
プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度
同時動作のための4つの内部バンク
双方向、データ・ストローブ（DQS）はデータと共に送受信され、レシーバーでデータを取り込む際に使用される。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。