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VDD = 1.7∼1.95V

VDDQ = 1.7∼1.95V

データ幅：x16 / x32

クロックレート：200MHz（-5）、166MHz（-6）

標準セルフ・リフレッシュ・モード

パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)

自動温度補償セルフリフレッシュ（ATCSR）

パワーダウンモード

ディープ・パワーダウン・モード（DPDモード）

プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度

同時動作のための4つの内部バンク

書き込みデータ用データマスク（DM）

アイドル時のクロック停止機能

各バースト・アクセスの自動プリチャージ・オプション

データ出力は2倍のデータレート

差動クロック入力（CKおよびCK）

双方向、データストローブ（DQS）

CASレイテンシー：2および3

バースト長：2、4、8、16

バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ

8Kリフレッシュ・サイクル/64mS

インターフェースLVCMOS互換

サポートパッケージ：

60ボールVFBGA（x16）

90ボールVFBGA（x32）

動作温度範囲

拡張: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C

産業用: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C

これは512Mbの低消費電力DDR SDRAMで、2Mワードx4バンクx32ビットで構成されている。

バーストタイプ：シーケンシャルまたはインターリーブ

標準セルフ・リフレッシュ・モード

PASR、ATCSR、パワーダウンモード、DPD

プログラマブル出力バッファ・ドライバ強度

同時動作のための4つの内部バンク

双方向、データ・ストローブ（DQS）はデータと共に送受信され、レシーバーでデータを取り込む際に使用される。

Winbond モバイルLPDDR SDRAM, 512 MB 表面 32 bit 90-Pin VFBGA

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