Alliance Memory, SRAM, 2Mbit, 128K x 8, 55ns

アライアンス・メモリCMOSスタティックRAMは、8ビットx32Kワードで構成されている。アクティブLOWのチップイネーブル(CE)と出力イネーブル(OE)を備え、トライステート・ドライバを特長とし、メモリ拡張が容易です。このデバイスには自動パワーダウン機能が搭載されており、選択を解除すると消費電力を99.9％削減できる。アクティブLOWの書き込みイネーブル信号が、書き込みと読み出しを制御する。CE 入力と WE 入力が共に LOW の時にデータが書き込まれる。読み出しの場合、デバイスが選択され、WEがHIGHのまま出力がイネーブルになる。入力ピンまたは出力ピンは、チップが選択され、出力がイネーブルになり、WEがHIGHにならない限り、ハイ・インピーダンス状態になる。

CEおよびOE機能による容易なメモリー拡張
TTL互換入出力
選択解除時の自動パワーダウン
最適なスピードとパワーを実現するCMOS