Infineon SRAM CY7C1061GE30-10ZSXI, 16 MB, 1M x 16 Bit, 10 ns, 54-Pin

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梱包形態
RS品番:
181-7613
メーカー型番:
CY7C1061GE30-10ZSXI
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

SRAM

メモリサイズ

16MB

ワード数

1M

1ワード当たりのビット数

16

最大ランダムアクセス時間

10ns

アドレスバス幅

16bit

最大クロック周波数

100MHz

最小電源電圧

2.2V

タイミングタイプ

非同期

取付タイプ

表面

最大電源電圧

3.6V

パッケージ型式

TSOP

動作温度 Min

-40°C

ピン数

54

動作温度 Max

85°C

長さ

22.51mm

規格 / 承認

No

シリーズ

CY7C1061GE

高さ

1.05mm

自動車規格

なし

供給電流

110mA

CY7C1061G 、 CY7C1061GE は、 組込み ECCを備えた高性能 CMOS 高速スタティック RAM デバイスです。両方のデバイスは、シングル・デュアルチップイネーブルのオプションと複数のピン配置で提供されます。CY7C1061GE デバイスには、読み取りサイクル中にシングルビットのエラー検出と訂正イベントを通知する ERR ピンを備えています。

高速

TAA = 10 ns / 15 ns

シングルビットエラー訂正用の組込みエラー訂正コー ド（ ECC ）

補正[1, 2]

低い有効電流、スタンバイ電流

ICC = 90 mA (標準) @ 100 MHz

ISB2 = 20 mA (標準)

動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、 4.5 → 5.5 V

1.0 V データ保持

TTL （ Transistor-transistor logic ）と互換性のある入出力

1 ビットのエラー検出と訂正を示すエラー表示 (ERR) ピン

鉛フ リーの48 ピン TSOP I、 54 ピン TSOP II 、 48 ボール VFBGA パッケージで実装

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