インフィニオン, SRAM, 16Mbit, 1 M x 16 ビット, 10ns, 54-Pin
- RS品番:
- 181-7613
- メーカー型番:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 181-7613
- メーカー型番:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 16Mbit | |
| 構成 | 1 M x 16 ビット | |
| ワード数 | 1M | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 10ns | |
| アドレスバス幅 | 16bit | |
| クロック周波数 | 100MHz | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 54 | |
| 寸法 | 22.51 x 10.26 x 1.05mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 動作温度 Max | +85 ℃ | |
| 長さ | 22.51mm | |
| 動作供給電圧 Min | 2.2 V | |
| 幅 | 10.26mm | |
| 動作温度 Min | -40 ° C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 16Mbit | ||
構成 1 M x 16 ビット | ||
ワード数 1M | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 10ns | ||
アドレスバス幅 16bit | ||
クロック周波数 100MHz | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 54 | ||
寸法 22.51 x 10.26 x 1.05mm | ||
高さ 1.05mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
動作温度 Max +85 ℃ | ||
長さ 22.51mm | ||
動作供給電圧 Min 2.2 V | ||
幅 10.26mm | ||
動作温度 Min -40 ° C | ||
CY7C1061G 、 CY7C1061GE は、 組込み ECCを備えた高性能 CMOS 高速スタティック RAM デバイスです。両方のデバイスは、シングル・デュアルチップイネーブルのオプションと複数のピン配置で提供されます。CY7C1061GE デバイスには、読み取りサイクル中にシングルビットのエラー検出と訂正イベントを通知する ERR ピンを備えています。
高速
TAA = 10 ns / 15 ns
シングルビットエラー訂正用の組込みエラー訂正コー ド( ECC )
補正[1, 2]
低い有効電流、スタンバイ電流
ICC = 90 mA (標準) @ 100 MHz
ISB2 = 20 mA (標準)
動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、 4.5 → 5.5 V
1.0 V データ保持
TTL ( Transistor-transistor logic )と互換性のある入出力
1 ビットのエラー検出と訂正を示すエラー表示 (ERR) ピン
鉛フ リーの48 ピン TSOP I、 54 ピン TSOP II 、 48 ボール VFBGA パッケージで実装
TAA = 10 ns / 15 ns
シングルビットエラー訂正用の組込みエラー訂正コー ド( ECC )
補正[1, 2]
低い有効電流、スタンバイ電流
ICC = 90 mA (標準) @ 100 MHz
ISB2 = 20 mA (標準)
動作電圧範囲: 1.65 → 2.2 V、2.2 → 3.6 V、 4.5 → 5.5 V
1.0 V データ保持
TTL ( Transistor-transistor logic )と互換性のある入出力
1 ビットのエラー検出と訂正を示すエラー表示 (ERR) ピン
鉛フ リーの48 ピン TSOP I、 54 ピン TSOP II 、 48 ボール VFBGA パッケージで実装
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
