Infineon SRAM, 8 MB, 512K x 16, 非同期, 2.20 V ～ 3.60V, 44ピン, TSOP II

RS品番:: 273-7345
メーカー型番:: CY62157EV30LL-45ZSXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon SRAM, 8 MB, 512K x 16, 非同期, 2.20 V ～ 3.60V, 44ピン, TSOP II

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RS品番:: 273-7345
メーカー型番:: CY62157EV30LL-45ZSXI
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	メモリサイズ	8MB
	プロダクトタイプ	SRAM
	ワード数	512K
	1ワード当たりのビット数	16
	タイミングタイプ	非同期
	最小電源電圧	2.20V
	取付タイプ	表面
	最大電源電圧	3.60V
	パッケージ型式	TSOP II
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	85°C
	ピン数	44
	長さ	18.51mm
	高さ	10.26mm
	幅	1.19mm
	規格 / 承認	RoHS
	シリーズ	CY62157EV30
	供給電流	35mA

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	メモリサイズ 8MB
	プロダクトタイプ SRAM
	ワード数 512K
	1ワード当たりのビット数 16
	タイミングタイプ非同期
	最小電源電圧 2.20V
	取付タイプ表面
	最大電源電圧 3.60V
	パッケージ型式 TSOP II
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 85°C
	ピン数 44
	長さ 18.51mm
	高さ 10.26mm
	幅 1.19mm
	規格 / 承認 RoHS
	シリーズ CY62157EV30
	供給電流 35mA

Datasheet - CY62157EV30LL-45ZSXI

Infineon CY62157EV30シリーズSRAM、8 MBメモリサイズ、ワードあたり16ビット - CY62157EV30LL-45ZSXI

このSRAMは、高速でバイトアドレス可能なデータ保持を必要とする用途向けに、表面実装TSOP IIパッケージで8 MBの揮発性パラレルストレージを提供します。幅広い電源範囲で非同期動作し、コンパクトな基板レベルの統合と予測可能な電力動作が重要なシステム向けに設計されています。

特長および利点：

• 2.2～3.6V電源により、柔軟なパワーレール設計をサポート
• 35mAの電源電流により、使用中のエネルギー消費を低減
• 512Kx16構成により、幅広い並列データ転送を実現
• 非同期タイミングにより、クロッキングなしで簡単に制御可能
• 44ピン表面実装により、高密度プリント基板の配置が容易

用途

• 制御システムのバッファメモリに最適
• 組み込みモジュールのファームウェアストレージに最適
• 拡張温度を必要とする産業用コントローラーと併用
• データ記録デバイスのキャッシュに使用可能

どのような供給電圧範囲をサポートしますか?

2.20V～3.60Vで動作し、さまざまなレールに対応します。

定格温度範囲は?

-40°C～85°Cの過酷な環境で使用できます。

このデバイスは、プリント基板組立用にどのようにパッケージされていますか?

自動配置用のTSOP II 44ピン表面実装パッケージで提供されます。

メモリ構成とワード幅はどのようなものですか?

配置は512Kワードx16ビットで、総容量は8MBです。