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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	メモリサイズ	4Mbit
	構成	512 K x 8 ビット
	ワード数	512k
	1ワード当たりのビット数	8bit
	最大ランダムアクセス時間	10ns
	アドレスバス幅	8bit
	クロック周波数	100MHz
	タイミングタイプ	非シンクロナス
	実装タイプ	スルーホール
	パッケージタイプ	SOJ
	ピン数	36
	寸法	0.92 x 0.395 x 0.103インチ
	動作供給電圧 Max	3.6 V
	高さ	2.62mm
	動作温度 Min	-40 °C
	幅	10.03mm
	動作供給電圧 Min	2.2 V
	長さ	23.37mm
	動作温度 Max	+85 °C

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	メモリサイズ 4Mbit
	構成 512 K x 8 ビット
	ワード数 512k
	1ワード当たりのビット数 8bit
	最大ランダムアクセス時間 10ns
	アドレスバス幅 8bit
	クロック周波数 100MHz
	タイミングタイプ非シンクロナス
	実装タイプスルーホール
	パッケージタイプ SOJ
	ピン数 36
	寸法 0.92 x 0.395 x 0.103インチ
	動作供給電圧 Max 3.6 V
	高さ 2.62mm
	動作温度 Min -40 °C
	幅 10.03mm
	動作供給電圧 Min 2.2 V
	長さ 23.37mm
	動作温度 Max +85 °C

Datasheet CY7C1049G30-10VXI

COO（原産国）:: CN

CY7C1049G 及び CY7C1049GE は、 ECC が組み込まれた高性能 CMOS 高速スタティック RAM デバイスです。どちらのデバイスも、シングル及びデュアルチップ対応オプションと、複数のピン構成で提供されます。CY7C1049GE デバイスには、読み取りサイクル中にエラー検出及び訂正イベントを信号で通知する ERR ピンが含まれます。データ書き込みは、チップイネーブル(CE)入力と書き込みイネーブル(WE)入力をLOWにアサートし、データをI/O0～I/O7に、またアドレスをA0～A18ピンに入力することによって実行されます。データ読み取りは、チップイネーブル(CE)入力と出力イネーブル(OE)入力をLOWにアサートし、アドレスラインに必要なアドレスを入力することによって実行されます。読み取りデータには、I/Oライン(I/O0～I/O7)でアクセスできます。

高速
tAA = 10 ns
シングルビットエラー訂正用の ECC を内蔵 [1,2]
低い有効電流及びスタンバイ電流
有効電流: ICC = 38 mA (標準)
スタンバイ電流: ISB2 = 6 mA (標準)
動作電圧範囲： 1.65 → 2.2 V 、 2.2 → 3.6 V 、 4.5 → 5.5 V
データ保持： 1.0 V
TTL互換の入出力
1ビットのエラー検出及び訂正を示すエラー表示(ERR)ピン
鉛フリー36ピンSOJ及び44ピンTSOP IIパッケージ

インフィニオン, SRAM, 4Mbit, 512 K x 8 ビット, 10ns, 36-Pin

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