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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	SRAM
	メモリサイズ	4MB
	構成	512K x 8 bit
	ワード数	512K
	1ワード当たりのビット数	8
	最大ランダムアクセス時間	10ns
	アドレスバス幅	19bit
	最大クロック周波数	100MHz
	タイミングタイプ	非同期
	最小電源電圧	0.5V
	最大電源電圧	6V
	動作温度 Min	-55°C
	パッケージ型式	36ピンモールドSOJ/44ピンTSOP II
	ピン数	44
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	シリーズ	CY7C1049G / CY7C1049GE
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ SRAM
	メモリサイズ 4MB
	構成 512K x 8 bit
	ワード数 512K
	1ワード当たりのビット数 8
	最大ランダムアクセス時間 10ns
	アドレスバス幅 19bit
	最大クロック周波数 100MHz
	タイミングタイプ非同期
	最小電源電圧 0.5V
	最大電源電圧 6V
	動作温度 Min -55°C
	パッケージ型式 36ピンモールドSOJ/44ピンTSOP II
	ピン数 44
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	シリーズ CY7C1049G / CY7C1049GE
	自動車規格なし

Datasheet - CY7C1049G30-10VXI

Infineon静電気RAMは、内蔵ECCを備えた高性能CMOS高速静電気RAMデバイスです。このデバイスには、読み取りサイクル中にエラー検出及び修正イベントを信号するERRピンが付属しています。データ書き込みは、チップイネーブル及び書き込みイネーブル入力を低く確定することで実行され、IO 0からIO 7までのピンでデータを提供し、A0からA18までのピンでアドレスを提供します。

高速

低有効電流及びスタンバイ電流

1ビットエラー検出及び補正

TTL互換の入力及び出力

シングルビットエラー補正用の組み込みECC

Infineon SRAM CY7C1049G30-10VXI, 4 MB, 512K x 8 bit, 10 ns, 44-Pin

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