ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 16kB, 2 K x 8, 25ns
- RS品番:
- 262-8970
- メーカー型番:
- 6116LA25SOGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 262-8970
- メーカー型番:
- 6116LA25SOGI
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 16kB | |
| 構成 | 2 K x 8 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25ns | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 16kB | ||
構成 2 K x 8 | ||
最大ランダムアクセス時間 25ns | ||
- COO（原産国）:
- TW
Renesas Electronics CMOS SRAMは、2K x 8として整理されています。 SRAMは、低電力スタンバイモードを実現します。低電力(LA)バージョンは、バッテリバックアップデータ保持機能も備えています。回路は通常、2 Vバッテリで動作すると、わずか1 → 4 μWの電力を消費します。すべての入力及び出力はTTL互換です。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。軍用グレード製品を用意しています。
低消費電力
バッテリバックアップ動作: 2 Vデータ保持電圧
先進のCMOS高性能テクノロジーで製造
CMOSプロセスにより、アルファ粒子のソフトエラーレートを実質的に排除
入力及び出力は、TTLに直接対応
クロックやリフレッシュは不要
バッテリバックアップ動作: 2 Vデータ保持電圧
先進のCMOS高性能テクノロジーで製造
CMOSプロセスにより、アルファ粒子のソフトエラーレートを実質的に排除
入力及び出力は、TTLに直接対応
クロックやリフレッシュは不要