Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK, 27 nH いいえ, 120 mA, 7447820127 セラミック 5 % 積層 4
- RS品番:
- 217-7495
- メーカー型番:
- 7447820127
- メーカー/ブランド名:
- Wurth Elektronik
ボリュームディスカウント対象商品
1 個(1個100個入り) 小計：*
￥666.00
(税抜)
￥733.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 100 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 100 - 600 | ￥6.66 | ￥666 |
| 700 - 6900 | ￥6.39 | ￥639 |
| 7000 - 8900 | ￥6.12 | ￥612 |
| 9000 - 11900 | ￥5.86 | ￥586 |
| 12000 + | ￥5.62 | ￥562 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 217-7495
- メーカー型番:
- 7447820127
- メーカー/ブランド名:
- Wurth Elektronik
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Wurth Elektronik | |
| プロダクトタイプ | 積層チップインダクタ | |
| インダクタンス | 27nH | |
| 最大直流電流 | 120mA | |
| パッキング | テープ及びリール | |
| 長さ | 0.6mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q200 | |
| 遮蔽性 | いいえ | |
| 最大直流抵抗 | 1350mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| インダクタンス許容範囲 | 5 % | |
| シリーズ | WE-MK | |
| 深さ | 0.3mm | |
| 終端方式 | 表面実装 | |
| コアプロセッサ | セラミック | |
| 高さ | 0.3mm | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, JEDEC JS709B, REACH, RoHS | |
| 最大自己共振周波数 | 1.8GHz | |
| インダクタ構造 | 積層 | |
| 最小品質ファクター | 4 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Wurth Elektronik | ||
プロダクトタイプ 積層チップインダクタ | ||
インダクタンス 27nH | ||
最大直流電流 120mA | ||
パッキング テープ及びリール | ||
長さ 0.6mm | ||
自動車規格 AEC-Q200 | ||
遮蔽性 いいえ | ||
最大直流抵抗 1350mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
インダクタンス許容範囲 5 % | ||
シリーズ WE-MK | ||
深さ 0.3mm | ||
終端方式 表面実装 | ||
コアプロセッサ セラミック | ||
高さ 0.3mm | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, JEDEC JS709B, REACH, RoHS | ||
最大自己共振周波数 1.8GHz | ||
インダクタ構造 積層 | ||
最小品質ファクター 4 | ||
- COO（原産国）:
- TW
Wurth Elektronik WE-MK 積層セラミック SMT インダクタは、インダクタンスが 1 nH です。高周波回路、 Bluetooth 、及びワイヤレス LAN で使用されます。インダクタンスは温度に対して非常に安定しています。
Coil の積層セラミック構造
すべてのインダクタは極性マーク付きです
自己共振周波数が高いのが特長です
誘導許容差： 5 %; ± 0.3 nH
動作温度範囲: -55 → +125 °C
インダクタンスは温度範囲にわたって非常に安定しています
推奨はんだプロファイル
関連ページ
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 120 mA, 7447820127G セラミック ±2 % 積層 4
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 120 mA セラミック 5 % 積層 4
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 120 mA セラミック ±2 % 積層 4
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 150 mA セラミック 5 % 積層 8
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 300 mA セラミック 5 % 積層 8
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 120 mA セラミック 5 % 積層 8
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 300 mA セラミック 5 % 積層 8
- Wurth Elektronik 積層チップインダクタ WE-MK 300 mA セラミック 5 % 積層 12