Bourns パワーインダクタ SRN2012T, 4.7 μH 2012 あり, 0.84 A, SRN2012T-4R7K フェライト ±30 % セミシールド 14
- RS品番:
- 238-8287
- メーカー型番:
- SRN2012T-4R7K
- メーカー/ブランド名:
- Bourns
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|---|---|---|
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| 10000 - 18000 | ￥14.437 | ￥28,874 |
| 20000 - 48000 | ￥14.291 | ￥28,582 |
| 50000 - 98000 | ￥14.149 | ￥28,298 |
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- RS品番:
- 238-8287
- メーカー型番:
- SRN2012T-4R7K
- メーカー/ブランド名:
- Bourns
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Bourns | |
| インダクタンス | 4.7μH | |
| プロダクトタイプ | パワーインダクタ | |
| 最大直流電流 | 0.84A | |
| サブタイプ | 半シールド電力インダクタ | |
| パッケージ/ケース | 2012 | |
| 長さ | 2mm | |
| パッキング | リール | |
| 自動車規格 | AEC-Q | |
| 遮蔽性 | あり | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大直流抵抗 | 1.76Ω | |
| シリーズ | SRN2012T | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| インダクタンス許容範囲 | ±30 % | |
| 深さ | 1.2mm | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 規格 / 承認 | Halogen Free, AEC-Q200, RoHS | |
| コアプロセッサ | フェライト | |
| 直径 | 1.2mm | |
| 最大自己共振周波数 | 208MHz | |
| 最小品質ファクター | 14 | |
| インダクタ構造 | セミシールド | |
| 成形 | いいえ | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Bourns | ||
インダクタンス 4.7μH | ||
プロダクトタイプ パワーインダクタ | ||
最大直流電流 0.84A | ||
サブタイプ 半シールド電力インダクタ | ||
パッケージ/ケース 2012 | ||
長さ 2mm | ||
パッキング リール | ||
自動車規格 AEC-Q | ||
遮蔽性 あり | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大直流抵抗 1.76Ω | ||
シリーズ SRN2012T | ||
動作温度 Max 125°C | ||
インダクタンス許容範囲 ±30 % | ||
深さ 1.2mm | ||
高さ 1.2mm | ||
規格 / 承認 Halogen Free, AEC-Q200, RoHS | ||
コアプロセッサ フェライト | ||
直径 1.2mm | ||
最大自己共振周波数 208MHz | ||
最小品質ファクター 14 | ||
インダクタ構造 セミシールド | ||
成形 いいえ | ||
- COO（原産国）:
- CN
Bourns SRN2012Tシリーズセミシールドパワーインダクタは、1マイクロヘンリーのインダクタンスを備えています。動作温度範囲は-40 → +125 °Cで、許容差は10 %です。
ミニチュアサイズ
高Q値
高い自己共振周波数
低DCR
ハロゲン未使用
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