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|---|---|---|
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- RS品番:
- 508-282
- メーカー型番:
- BAS516,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| ダイオード構成 | シングル | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOD-523 | |
| ダイオードテクノロジー | シリコンジャンクション | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大順方向降下電圧 | 1.25V | |
| 動作温度 Min | -65 °C | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 長さ | 1.25mm | |
| 幅 | 0.85mm | |
| 高さ | 0.65mm | |
| 寸法 | 0.65 x 1.25 x 0.85mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
ダイオード構成 シングル | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOD-523 | ||
ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション | ||
ピン数 2 | ||
最大順方向降下電圧 1.25V | ||
動作温度 Min -65 °C | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
長さ 1.25mm | ||
幅 0.85mm | ||
高さ 0.65mm | ||
寸法 0.65 x 1.25 x 0.85mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
小信号スイッチングダイオード、Nexperia
特長
カスタマイズされた高密度の回路設計に対応
低漏洩及び高電圧のタイプを用意
高スイッチング速度
低静電容量
低漏洩及び高電圧のタイプを用意
高スイッチング速度
低静電容量
高速スイッチングです。プレーナ技術を用いて生産されており、最大スイッチング速度は4 nsです。ハーメチックシールドされたパッケージングに密封されており、カスタム高密度回路設計に対応しています。
小型表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められた、高速スイッチングダイオードです。
高速スイッチング速度: trr ≤ 4 ns
低静電容量
低漏洩電流
逆方向電圧: VR ≤ 100 V
繰り返しピーク逆電圧: VRRM ≤ 100 V
小型SMDプラスチックパッケージ
用途
高速スイッチング
汎用スイッチング
低静電容量
低漏洩電流
逆方向電圧: VR ≤ 100 V
繰り返しピーク逆電圧: VRRM ≤ 100 V
小型SMDプラスチックパッケージ
用途
高速スイッチング
汎用スイッチング