Nexperia シリコンジャンクション表面, 400 mA 250 V, シングル SOT-23, 3-Pin

RS品番:: 166-1261
メーカー型番:: BAS21,215
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia シリコンジャンクション表面, 400 mA 250 V, シングル SOT-23, 3-Pin

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RS品番:: 166-1261
メーカー型番:: BAS21,215
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	最大順方向電流If	400mA
	プロダクトタイプ	シリコンジャンクション
	ダイオード構成	シングル
	取付タイプ	表面
	サブタイプ	シリコンジャンクション
	パッケージ型式	SOT-23
	ピン数	3
	動作温度 Min	-65°C
	ピーク逆回復時間 trr	50ns
	ピーク逆繰返し電圧 Vrrm	250V
	ピーク非反復順方向サージ電流 Ifsm	1.7A
	最大順方向電圧Vf	1.25V
	最大許容損失Pd	250mW
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3mm
	規格 / 承認	No
	シリーズ	BAS21
	高さ	1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	最大順方向電流If 400mA
	プロダクトタイプシリコンジャンクション
	ダイオード構成シングル
	取付タイプ表面
	サブタイプシリコンジャンクション
	パッケージ型式 SOT-23
	ピン数 3
	動作温度 Min -65°C
	ピーク逆回復時間 trr 50ns
	ピーク逆繰返し電圧 Vrrm 250V
	ピーク非反復順方向サージ電流 Ifsm 1.7A
	最大順方向電圧Vf 1.25V
	最大許容損失Pd 250mW
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3mm
	規格 / 承認 No
	シリーズ BAS21
	高さ 1mm
	自動車規格なし

Datasheet

高電圧システム向けのソリューションです。プレーナ技術を用いて製造されたこの ≥ 100 Vダイオードは、スイッチング速度が4 ns (最大)です。カスタム高密度回路設計に対応しており、ハーメチックシールドされたパッケージングに密封されています。

小型SOT23表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められた、高電圧スイッチングダイオードです。

高速スイッチング速度: trr ≤ 50 ns

低漏洩電流

逆方向電圧: VR ≤ 200 V

低静電容量: Cd ≤ 5 pF

小型SMDプラスチックパッケージ

用途

高電圧で高速スイッチング

高電圧汎用スイッチング

電圧クランプ

逆極性保護