ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール2500個入り) 小計：*
￥75,980.00
(税抜)
￥83,577.50
(税込)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥30.392 | ￥75,980 |
| 12500 - 22500 | ￥29.783 | ￥74,458 |
| 25000 - 60000 | ￥29.19 | ￥72,975 |
| 62500 - 122500 | ￥28.605 | ￥71,513 |
| 125000 + | ￥28.037 | ￥70,093 |
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- RS品番:
- 186-7289
- メーカー型番:
- MC74HC125ADTR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 論理回路 | HC | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSSOP | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 出力タイプ | 3ステート | |
| ピン数 | 14 | |
| ロジックタイプ | バッファ | |
| 寸法 | 5.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| 低レベル出力電流 Max | 7.8mA | |
| 高レベル出力電流 Max | 7.8mA | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作供給電圧 Max | 2 → 6 V | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 135 ns @ 50 pF | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
論理回路 HC | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSSOP | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
出力タイプ 3ステート | ||
ピン数 14 | ||
ロジックタイプ バッファ | ||
寸法 5.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
低レベル出力電流 Max 7.8mA | ||
高レベル出力電流 Max 7.8mA | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作供給電圧 Max 2 → 6 V | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 135 ns @ 50 pF | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC125A 及び MC74HC126A は、 LS125 及び LS126 とピン配列が同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC125A および HC126A 非反転バッファは、 3 ステートメモリアドレスドライバ、クロックドライバ、およびその他のバス指向システムで使用するように設計されています。4 つの独立した出力により、アクティブロー（ HC125A ）又はアクティブハイ（ HC126A ）にすることができます。
出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷
CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力
動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V
低入力電流： 1.0 mA
高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性
チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力
動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V
低入力電流： 1.0 mA
高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性
チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
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