ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 75 - 300 | ¥90.88 | ¥6,816 |
| 375 - 675 | ¥89.173 | ¥6,688 |
| 750 - 1800 | ¥84.907 | ¥6,368 |
| 1875 - 3675 | ¥82.32 | ¥6,174 |
| 3750 + | ¥79.733 | ¥5,980 |
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- RS品番:
- 186-7307
- メーカー型番:
- MC74VHC541DTG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 論理回路 | VHC | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSSOP | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| ピン数 | 20 | |
| 出力タイプ | 3ステート | |
| 寸法 | 6.6 x 4.5 x 1.05mm | |
| 低レベル出力電流 Max | 8mA | |
| 高レベル出力電流 Max | -8mA | |
| 伝送 | CMOS、TTL | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 12 ns @ 50 pF | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
論理回路 VHC | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSSOP | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
ピン数 20 | ||
出力タイプ 3ステート | ||
寸法 6.6 x 4.5 x 1.05mm | ||
低レベル出力電流 Max 8mA | ||
高レベル出力電流 Max -8mA | ||
伝送 CMOS、TTL | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 12 ns @ 50 pF | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
MC74VHC541 は、シリコンゲート CMOS 技術に基づいて製造された Advanced High Speed CMOS オクタルバスバッファです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。
MC74VHC541 は、非反転タイプです。OE1 又は OE2 がハイの場合、 Terminal 出力はハイインピーダンス状態になります。
内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。
MC74VHC541 は、非反転タイプです。OE1 又は OE2 がハイの場合、 Terminal 出力はハイインピーダンス状態になります。
内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。
高速: tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V
低消費電力: ICC = 4 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 1.2 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 134 FET または 33.5 相当の Gates
鉛フリーパッケージを用意
低消費電力: ICC = 4 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 1.2 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 134 FET または 33.5 相当の Gates
鉛フリーパッケージを用意
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
