onsemi ツェナーダイオード, シングル, Vz 12 V, 3.2 W, 550 Ω, 1 μA, 2ピン, POWERMITE
- RS品番:
- 163-1946
- メーカー型番:
- 1PMT5927BT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 163-1946
- メーカー型番:
- 1PMT5927BT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 標準ツェナー電圧 Vz | 12V | |
| ダイオード構成 | シングル | |
| プロダクトタイプ | ツェナーダイオード | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大許容損失Pd | 3.2W | |
| パッケージ型式 | POWERMITE | |
| ツェナータイプ | 汎用 | |
| ピン数 | 2 | |
| テスト電流 It | 31.2mA | |
| 最大ツェナーインピーダンス | 550Ω | |
| 最大逆漏れ電流 | 1μA | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 3.9mm | |
| 高さ | 1.15mm | |
| シリーズ | 1PMT5927B | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
標準ツェナー電圧 Vz 12V | ||
ダイオード構成 シングル | ||
プロダクトタイプ ツェナーダイオード | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大許容損失Pd 3.2W | ||
パッケージ型式 POWERMITE | ||
ツェナータイプ 汎用 | ||
ピン数 2 | ||
テスト電流 It 31.2mA | ||
最大ツェナーインピーダンス 550Ω | ||
最大逆漏れ電流 1μA | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 3.9mm | ||
高さ 1.15mm | ||
シリーズ 1PMT5927B | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
ツェナーダイオード3.2 W、1PMT59xxBシリーズ、ON Semiconductor
POWERMITE®表面実装パッケージ
Zener Diodes, ON Semiconductor
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