STMicroelectronics ツェナーダイオード 3V 表面実装

このデバイスは、データラインや伝送ラインに接続されたコンポーネントを ESD から保護するように設計されたモノリシックサプレッサです。 正の過渡電圧にはロジックレベル電源のすぐ上に電圧をかけ、負の過渡電圧にはグランドより下のダイオードドロップに電圧をかけます。

単方向 Transil 機能 x 4
絶縁破壊電圧 VBR = 6.1 V （最小
低漏洩電流：< 100 nA
低ダイオード静電容量（ 7.5 pF @ 3 V ）

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