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    FRAM (Ferroelectrics RAM)

    強誘電体メモリは、FeRAM、F-RAM、FRAMとも呼ばれ、高速動作の特長をもつ不揮発性メモリです。データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリやEEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、書換え回数、消費電力の点で優位を持っています。


    FRAMメモリの用途


    FRAMメモリは、CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMメモリを搭載できるようにしています。フラッシュメモリを組み込むよりもステージ数が少なくなり、コストがより安価になります。


    FRAMメモリは、電気、水、ガス、熱などを測定する、さまざまな高度な電子計測システムに、ソリューションを提供します。通常、FRAMメモリは、少量のデータを格納するための電子機器に使用されています。


    FRAMメモリの種類


    • シリアルFRAMは、通常、シリアルで電気的に消去可能なプログラマブル読取専用メモリ(EEPROM)に使用されています。

    • パラレルFRAMは、通常、パラレルスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)で使用されています。
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