FRAM (Ferroelectrics RAM)

強誘電体ランダムアクセスメモリ(FeRAM、F-RAM、FRAM)は、フラッシュメモリと同じ機能を提供するメモリ技術です。FRAMメモリは、高速で不揮発性のデータストレージとRAMの高い性能を組み合わせ、書き込み遅延なくフルインターフェーススピードで書き込まれます。強誘電体メモリ FRAM ガイドはこちら

FRAMは事実上無制限の耐久性(100兆回の読み取り / 書き込みサイクル)を提供し、非常に低いエネルギー消費量でアクティブ状態を短時間維持します。

FRAMメモリは、どのような用途に使用されますか?

FRAMメモリは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMメモリを搭載できるようにしています。フラッシュメモリを組み込むよりもステージ数が少なくなり、コストがより安価になります。

FRAMメモリは、電気、水、ガス、熱などを測定する、さまざまな高度な電子計測システムに最適で、使いやすいソリューションを提供します。通常、FRAMメモリは、少量のデータを格納するための電子機器に使用されています。

FRAMメモリの種類

• シリアルFRAMは、通常、シリアルで電気的に消去可能なプログラマブル読取専用メモリ(EEPROM)に使用されています。
• パラレルFRAMは、通常、パラレルスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)で使用されます。