Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ, 3ピン, 100 mA, 50 V, VESM, 表面
- RS品番:
- 580-048
- メーカー型番:
- RN1101MFV(TPL3)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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- RS品番:
- 580-048
- メーカー型番:
- RN1101MFV(TPL3)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 100mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| パッケージ型式 | VESM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最大許容損失Pd | 150mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最大エミッタベース電圧 VEBO | 10V | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 30 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| ピン数 | 3 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 3mm | |
| シリーズ | RN1101 | |
| 幅 | 1.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 100mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
パッケージ型式 VESM | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最大許容損失Pd 150mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最大エミッタベース電圧 VEBO 10V | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 30 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
ピン数 3 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1mm | ||
長さ 3mm | ||
シリーズ RN1101 | ||
幅 1.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- JP
東芝 BRT シリーズ VESM 抵抗内蔵トランジスタ
デジタルトランジスタ、 Toshiba
「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。