onsemi NPN高電圧トランジスタ, MMBT5550LT1G, 3-Pin, 600 mA NPN, SOT-23, 表面, 140 V dc

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梱包形態
RS品番:
765-318
メーカー型番:
MMBT5550LT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

NPN高電圧トランジスタ

最大DCコレクタ電流(Idc)

600mA

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

140V dc

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

160V dc

動作温度 Min

-55°C

最大エミッタベース電圧 VEBO

6V dc

最大許容損失Pd

225mW

最小DC電流ゲイン(hFE)

60

トランジスタ極性

NPN

ピン数

3

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

1.4mm

シリーズ

MMBT5550L

高さ

1.01mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN
onsemi NPNシリコントランジスタは、高電圧性能を必要とする用途向けに設計されています。140 Vの優れたコレクタエミッタ定格電圧を備えたこのデバイスは、厳しい性能基準が要求される自動車やその他の産業用途で最適な信頼性を発揮するように設計されています。鉛フリーおよびハロゲンフリーの構造は、現代の環境規制との互換性をさらに反映し、品質を損なうことなくコンプライアンスを保証します。最大600 mAの連続コレクタ電流に最適化されたこのトランジスタは、高速スイッチング動作に優れ、さまざまな電子回路の遅延を最小限に抑え、効率を向上させます。

最大140 Vのコレクタエミッタ定格電圧による高電圧対応

600 mAの連続コレクタ電流に対応する設計により、要求の厳しい用途に対応

鉛フリーおよびハロゲンフリー構造により、RoHS規格に準拠し、環境安全性を向上

AEC-Q101認定により、自動車および重要な用途での信頼性を確保

高速スイッチング速度に最適化され、効率的な回路動作を実現

低コレクタ-エミッタ飽和電圧により、全体的なエネルギー効率を向上

低熱抵抗で熱安定性を向上し、高温環境での性能を向上

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