システムメンテナンスのお知らせ - 6月22日（土）～24日（月）
平素よりRSコンポーネンツをご利用いただき誠にありがとうございます。 2024年6月22日（土）05:00～ 24日（月）6:00の時間帯で、ウェブサイト改善の一環として、重要なアップグレードを行うためにシステムメンテナンスを実施いたします。この間、弊社ウェブサイトのご利用ができなくなります。 お客様には大変ご迷惑をおかけいたしますが、ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。
Infineon RFトランジスタ, 高周波, NPN, 表面実装, 35 mA, BFP840FESDH6327XTSA1
- RS品番:
- 170-2255
- メーカー型番:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
999999999 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は3000 個
￥27.902
(税抜)
￥30.692
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥27.902 | ￥83,706.00 |
| 15000 - 27000 | ￥27.069 | ￥81,207.00 |
| 30000 - 72000 | ￥25.625 | ￥76,875.00 |
| 75000 - 147000 | ￥24.903 | ￥74,709.00 |
| 150000 + | ￥24.182 | ￥72,546.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 170-2255
- メーカー型番:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
BFP840FESDは、5-6 GHz WiFi用途専用の高性能HBT (ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)です。Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cウェハテクノロジーに基づいています。BFP840FESDは、入出力パワー整合と5-6 GHzにおけるノイズ整合が本質的に優れています。損失の大きい外付け整合部品を入力リードに配することなくノイズとパワーの整合を両立しており、WiFi用途において外付け部品点数の削減、極めて良好なノイズ値、極めて高いトランスデューサゲインが実現されます。
Infineonによる信頼性の高い量産用SiGe:Cウェハテクノロジーに基づいた堅牢で高性能、低ノイズのアンプ
内臓保護回路によるESD耐性: 2 kV (HBM)
高いRF入力出力: 最大21 dBm
最小ノイズ: 0.6 dB
最大ゲイン: 26 dB
OIP3: 23.5 dBm (標準) @ 5.5 GHz、25 mA
設計に効果的に導入できるよう正確なSPICE GPモデルを用意
内臓保護回路によるESD耐性: 2 kV (HBM)
高いRF入力出力: 最大21 dBm
最小ノイズ: 0.6 dB
最大ゲイン: 26 dB
OIP3: 23.5 dBm (標準) @ 5.5 GHz、25 mA
設計に効果的に導入できるよう正確なSPICE GPモデルを用意
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| トランジスタタイプ | NPN |
| 最大DCコレクタ電流 | 35 mA |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 2.25 V |
| パッケージタイプ | TSFP |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| 最大パワー消費 | 75 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大コレクタ-ベース間電圧 | 2.9 V |
| 最大動作周波数 | 85 GHz |
| ピン数 | 4 |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 寸法 | 1.4 x 0.8 x 0.55mm |
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