Nexperia NPN 抵抗内蔵トランジスタ, 100 mA, SOT-666, 表面実装

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取扱終了
RS品番:
170-4866
メーカー型番:
PEMH9,115
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

トランジスタタイプ

NPN

最大DCコレクタ電流

100 mA

最大コレクタ- エミッタ間電圧

50 V

パッケージタイプ

SOT-666

実装タイプ

表面実装

最大パワー消費

200 mW

トランジスタ構成

デュアル

最大エミッタ-ベース間電圧

6 V

ピン数

6

1チップ当たりのエレメント数

2

ベースエミッタ抵抗器

13kΩ

寸法

1.7 x 1.3 x 0.6mm

標準入力抵抗

10 kΩ

標準抵抗比

4.7

動作温度 Max

+150 °C

COO（原産国）:
MY
部品数の削減と回路設計の簡素化を図れる省スペース / コスト節減ソリューションです。トランジスタと付随する抵抗器を組み合わせることで、RETは、優れた省スペース / コスト節減ソリューションとなります。

抵抗比許容差: ±10 %
ピックアンドプレースコストの削減
内蔵バイアス抵抗器
コンポーネント数の削減
100 mA、500 mA、及び最大800 mAの出力電流容量
回路設計の簡素化
主な用途
IC入力の制御
デジタルシステム
スイッチング負荷

表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージに収められた、NPN / NPNダブル抵抗内蔵型トランジスタ(RET)です。

出力電流容量: 101 mA
内蔵バイアス抵抗器
回路設計の簡素化
コンポーネント数の削減
ピックアンドプレースコストの削減
用途
低電流ペリフェラルドライバ
IC入力の制御
デジタル用途で使用されている汎用トランジスタを置き換え

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