onsemi トランジスタ, 6-Pin, 100 mA NPN, SOT-363, 表面, 50 V
- RS品番:
- 184-1031
- メーカー型番:
- MUN5233DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥8.20 | ￥24,600 |
| 15000 - 27000 | ￥8.047 | ￥24,141 |
| 30000 - 72000 | ￥7.622 | ￥22,866 |
| 75000 - 147000 | ￥7.404 | ￥22,212 |
| 150000 + | ￥7.185 | ￥21,555 |
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- RS品番:
- 184-1031
- メーカー型番:
- MUN5233DW1T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | トランジスタ | |
| 最大DCコレクタ電流（Idc） | 100mA | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 50V | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 最大コレクタベース電圧 VCBO | 50V | |
| 最大許容損失Pd | 250mW | |
| トランジスタ極性 | NPN | |
| 最小DC電流ゲイン（hFE） | 80 | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | MUN5233DW1T1G | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ トランジスタ | ||
最大DCコレクタ電流（Idc） 100mA | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
最大コレクタベース電圧 VCBO 50V | ||
最大許容損失Pd 250mW | ||
トランジスタ極性 NPN | ||
最小DC電流ゲイン（hFE） 80 | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ MUN5233DW1T1G | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 2.2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。
回路設計を簡素化
基板スペースを削減
コンポーネントカウントを削減
これらのデバイスはPbFree、ハロゲンフリー / BFRフリー