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バイポーラトランジスタ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222AWT1G
RS品番:
184-1503
メーカー型番:
MMBT2222AWT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
184-1503
メーカー型番:
MMBT2222AWT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet MMBT2222AWT1G
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
CN
NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。
低 RDS ( on ):高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します
基板スペースを節約する小型 SC-70 / SOT-323 表面実装パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
トランジスタタイプ
NPN
最大DCコレクタ電流
600 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧
40 V
パッケージタイプ
SOT-323 (SC-70)
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費
150 mW
最小DC電流ゲイン
100
トランジスタ構成
シングル
最大コレクタ-ベース間電圧
75 V
最大エミッタ-ベース間電圧
6 V
最大動作周波数
100 MHz
ピン数
3
1チップ当たりのエレメント数
1
寸法
2.2 x 1.35 x 0.9mm
動作温度 Max
+150 °C
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